氮化硅基板尺寸
主要项目 | 规格 | 指标 |
基板尺寸mm | 100*100,114.3*114.3 ,138*190.5 | ±0.1mm |
基板厚度 | 0.254,0.32,0.5,0635,1.0 | ±0.02mm |
氮化硅产品性能:
主要项目 ltem | 单位 Unit | 指标 Test Standard | ||
颜色 Colour | s…… | 灰色 | ||
密度 Density | G/cm3 | 3.22 | ||
热导率 Thermal conductivity | 25℃ W/(m.k) | 80~85 | ||
介电常数 Dielectric constant | 1 MHz | 8~10 | ||
击穿强度 | Kv/mm | ≥15 | ||
抗折强度 Flexural Strength | Mpa | ≥800 | ||
维氏硬度 Vickers hardness | Gpa | ≥15 | ||
翘曲度 warpage | (长边)‰ | ≤2 | ||
表面粗糙度 Surface roughness | um | 0.2~0.4 | ||
热彭胀系数 Coefficient of thermal expansion | 10-6 | 20~300℃ | 2.7 | |
300~800℃ | 3.2 | |||
体积电阻率 | 20℃.ù.cm | ≥1014 |
基板材料特性
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求,已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求,已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。