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氮化硅陶瓷基板

氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷基板
详细内容

氮化硅基板尺寸

主要项目

规格

指标

基板尺寸mm

100*100114.3*114.3 ,138*190.5

±0.1mm

基板厚度

0.2540.32,0.5,0635,1.0

±0.02mm

氮化硅产品性能:

主要项目

ltem

单位

Unit

指标

Test Standard

颜色

Colour

s……

灰色

密度

Density

G/cm3

3.22

热导率

Thermal conductivity

25 W/(m.k)

8085

介电常数

Dielectric constant

1 MHz

810

击穿强度
Dreakdown strength

Kv/mm

15

抗折强度

Flexural  Strength

Mpa

800

维氏硬度

Vickers hardness

Gpa

15

翘曲度

warpage

(长边)

2

表面粗糙度

Surface roughness

um

0.20.4

热彭胀系数

Coefficient of thermal expansion 

10-6

20300


2.7

300800


3.2

体积电阻率
Volume resistivity

20.ù.cm

1014

基板材料特性

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)

以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求,已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)

以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求,已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。



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